??
客服熱線：0551-69106578 業(yè)務(wù)咨詢：0551-69106578 郵箱：2268263116@qq.com
媒體合作： ??在線客服：
Copyright (c) 2012 機電產(chǎn)品交易網(wǎng) . 版權(quán)所有 皖I(lǐng)CP備12004440號-2
圖像可以將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電子信息，在電子光學(xué)設(shè)備中應(yīng)用廣泛。未來的可穿戴智能設(shè)備要求圖像傳感器具有柔性可以彎曲折疊，而目前在數(shù)碼相機中廣泛應(yīng)用的集成圖像傳感器，由于不具有柔性難以滿足未來需求。目前研究認為，柔性低維材料是硅基底的理想替代者。
合肥工業(yè)大學(xué)與韓國成均館大學(xué)近期組成聯(lián)合科研團隊，提出了一種新的界面限域外延生長方法，成功制備出高質(zhì)量大晶粒非層狀結(jié)構(gòu)硒化鎳薄膜。他們通過硒化鎳微米帶陣列的圖形化生長，構(gòu)筑高性能且均勻性好的光探測器陣列，為柔性圖像傳感器的實現(xiàn)奠定了基礎(chǔ)。
據(jù)介紹，由于這種新型材料薄膜的晶粒達到微米尺度，晶粒間的晶界減少，顯著降低了晶界對載流子的散射，從而大幅提高了光探測器的響應(yīng)度。實驗結(jié)果表明，基于微米尺度晶粒的高質(zhì)量硒化鎳薄膜所制備的光探測器，每瓦光照可以獲得150安培的電流，其響應(yīng)度比納米尺度晶粒的薄膜提高了4個量級。
