近期,紫光集團(tuán)官網(wǎng)發(fā)布:由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目(以下簡稱“項目”),在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設(shè)。該項目總投資240億美元,主要生產(chǎn)存儲器芯片,總占地面積1968畝,將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,項目一期計劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個項目,總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。
存儲芯片是集成電路的三大品類之一,廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域,其銷售額占據(jù)整個芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%,其技術(shù)能充分反映一個國家或地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展水平。根據(jù)賽迪顧問的數(shù)據(jù),2014年中國存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到2465.5億元,占國內(nèi)集成電路市場份額的23.7%。國內(nèi)存儲芯片幾乎100%來自進(jìn)口,每年進(jìn)口存儲芯片的金額高達(dá)600億美元。根據(jù)Trendforce的數(shù)據(jù),2016年Q3三星電子在全球DRAM存儲器領(lǐng)域的份額高達(dá)50.2%,SK海力士占24.8%的份額;三星電子在全球NAND FLASH領(lǐng)域的市場份額為36.6%,SK海力士占10.4%的份額。
項目將以存儲芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,形成涵蓋存儲器芯片設(shè)計、制造、封裝測試、技術(shù)研發(fā)等全產(chǎn)業(yè)鏈的IDM模式,為國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級提供有效支撐。我們認(rèn)為,項目的啟動將實現(xiàn)國產(chǎn)存儲器芯片從0到1的突破,填補(bǔ)國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)的空白,表明國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略在存儲器芯片領(lǐng)域落地,將有效保障國家信息安全。
從日、韓半導(dǎo)體發(fā)展歷程上看,日本政府在1976~1979年組織了5家最大的半導(dǎo)體制造商形成集成電路研究團(tuán)隊,并投入大量資金和人力,于1980年研制出64KDRAM存儲器(比美國早半年)和256KDRAM存儲器(比美國早2年);20世紀(jì)80年代末的韓國政府以存儲器作為突破口,形成“官民一體”的DRAM存儲器研發(fā)小組,投入大量資源突破存儲器技術(shù),1994年三星電子在全球率先推出256M DRAM,隨后韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)便超越日本成為世界第一。
目瞄準(zhǔn)存儲器新興領(lǐng)域中的3D NAND Flash,通過與飛索半導(dǎo)體合作、集中資源進(jìn)行先進(jìn)存儲器技術(shù)攻關(guān),將有望加速突破技術(shù)瓶頸。3D NAND FLASH作為一種新興的存儲器技術(shù),其演進(jìn)邏輯是依靠三維芯片堆疊而不僅是工藝制程縮小,相比2D NAND FLASH擁有體積更小、容量更大、成本更低等優(yōu)勢。我們認(rèn)為,項目以3D NAND Flash存儲器作為突破口,起點(diǎn)高、投資力度大,在國家的大力支持下,有望突破存儲器相關(guān)的技術(shù)瓶頸并實現(xiàn)量產(chǎn)。
項目的建設(shè)將帶動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
半導(dǎo)體設(shè)備和材料需求主要由新增半導(dǎo)體晶圓廠建設(shè)拉動??涛g機(jī)、PVD、CVD等半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)實現(xiàn)部分國產(chǎn)化,電子電鍍液、電子清洗液等材料已開始供應(yīng)國內(nèi)半導(dǎo)體主要制造廠商。我們認(rèn)為,項目的建設(shè)將推動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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